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        石墨烯納米帶生產新工藝開發成功

        發布時間:2012-11-23 作者: 來源:中國科技網 瀏覽:924534

              據法國國家科學研究院11月19日消息,一支由美國佐治亞理工學院、法國國家科學研究中心、法國SOLEIL同步輻射光源、法國洛林大學讓?拉穆爾研究所和格勒諾布爾尼爾研究所的科研人員組成的團隊,歷經8年的合作研究,成功開發出生產石墨烯納米帶的新技術。石墨烯獨特的物理特性令其成為電子設備的理想材料,這項技術為制備新一代納米電子元件鋪平了道路。該研究結果發表在11月18日的《自然?物理學》雜志上。

              石墨烯是由單層碳原子組成的二維晶體,具有很高化學穩定性,并具有優于碳納米管和金剛石的高導熱性、常溫下高于納米碳管或硅晶體的電子遷移率、低于銅或銀的電阻率等物理特性,因此成為了制備功耗更小、速率更高的新一代納米電子元件的重要候選材料。2004年,英國曼徹斯特大學物理學家安德烈?海姆和康斯坦丁?諾沃肖洛夫,從石墨中成功分離出石墨烯,從而證實石墨烯可以單獨存在,兩人也因“在二維石墨烯材料的開創性實驗”共同獲得2010年諾貝爾物理學獎。十余年來,各國科研人員針對石墨烯開展了大量研究工作,試圖研制出高效、可控的制備石墨烯納米帶的技術工藝。

              基于法國SOLEIL同步加速器X射線等實驗的研究成果,法美科學團隊成功研制出一種用于生產石墨烯納米帶半導體的方法??蒲腥藛T在碳化硅表面刻蝕凹槽,并以此作為基板,通過控制基板的幾何形狀,在其上形成僅有幾納米寬的石墨烯納米帶。

              該項技術可在常溫下進行,其制備的石墨烯半導體僅為此前IBM公司所制納米帶的五分之一寬。該技術可高效、可控地制備石墨烯半導體,為石墨烯規?;I生產帶來可能,同時也使新一代高密度集成電路的制備不再遙不可及。

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