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        高功率、窄線寬177.3nm深紫外激光輸出在我國首次實現

        發布時間:2013-05-23 作者: 來源:科技部 瀏覽:1263

              在“十二五”863計劃新材料領域“先進激光材料及全固態激光技術”主題項目支持下,中國科學院理化技術研究所承擔的“深紫外激光器及人工晶體關鍵技術”課題取得重大進展,于近期通過了課題技術驗收。
            深紫外激光由于波長短、光子能量高,因而在高分辨率成像、光譜應用、微細加工等諸多領域具有重要的應用價值,獲得實用化、精密化的深紫外光源一直是科學家們不斷追求的目標。我國在深紫外晶體材料和激光技術領域具有國際領先優勢,但隨著應用的發展,急需更高性能的深紫外全固態激光源(DUV-DPL),如更高功率、更窄線寬。
            該課題在國際上首次實現高功率、窄線寬177.3nm深紫外激光輸出,解決了大尺寸KBBF 族深紫外晶體生長、優質KBBF-PCT器件研制、高效深紫外倍頻技術、窄線寬深紫外激光產生技術等關鍵問題,KBBF晶體厚度突破4mm,首次獲得了大功率(146.5 mW)、窄線寬(0.88 pm)的177.3 nm深紫外激光輸出。
            課題完善、鞏固了我國擁有的深紫外自主知識產權體系,填補了直接倍頻產生高功率、窄線寬深紫外激光的空白,擴展了深紫外激光可實用化、精密化應用。

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