<address id="dpnfz"><listing id="dpnfz"><listing id="dpnfz"></listing></listing></address>

    <address id="dpnfz"></address>

    <em id="dpnfz"><address id="dpnfz"><listing id="dpnfz"></listing></address></em>
    <sub id="dpnfz"></sub>
    <address id="dpnfz"></address>
      <noframes id="dpnfz"><form id="dpnfz"><th id="dpnfz"></th></form>

        <dfn id="dpnfz"></dfn>

        中國計量網 http://www.www.duanw.cn/
        中國計量網——計量行業門戶網站
        計量資訊速遞
        您當前的位置: 首頁 > 新聞 > 科研動態

        新型石墨烯晶體管實現高開關比率

        發布時間:2013-01-28 作者: 來源:中國科技網 瀏覽:596583

              據物理學家組織網1月23日(北京時間)報道,英國曼徹斯特大學的科研人員設計出一種新型石墨烯晶體管,在其中電子可借助隧穿和熱離子效應,同時從上方和下方穿越障礙,并在室溫下展現出高達1?106的開關比率。

              石墨烯晶體管獲得較高的開關比率一直難以實現,而有了高開關比,以及其在柔性、透明基板上的操作能力,新型晶體管能夠在后CMOS設備時代占有一席之地,并有望達到更快的計算速度。相關研究發表在近期出版的《自然?納米技術》雜志上。

              石墨烯晶體管多具有三明治結構,以原子厚度的石墨烯作為外層,而以其他超薄材料作為中間夾層。這些中間層可以囊括多種不同材料。在此次的研究中,科學家使用二硫化鎢(WS2)作為中間層,其能夠作為兩個石墨烯夾層之間原子厚度的壁壘。與其他壁壘材料相比,二硫化鎢的最大優勢在于,電子可借助熱離子運輸方式從上方越過障礙,也可利用隧穿效應從下方穿過障礙。處于關閉狀態時,極少電子能借助上述方式穿越障礙,但當調至開啟狀態時,電子既能選用一種方式逾越壁壘,亦能同時選擇兩種方式以實現類似效果。

              開關間切換將改變晶體管的柵電壓。負柵電壓將形成關閉狀態,因為其將增加隧穿障礙高度,因此幾乎沒有電子能夠越過壁壘。而正柵電壓能通過降低隧穿障礙的高度使晶體管轉換至開啟狀態。同時,如果溫度足夠高,亦可借助熱離子電流從上方越過壁壘。在低電壓和低溫的情況下,隧穿電流與電壓呈線性關聯。但當處于高壓下時,隧穿電流會隨電壓呈現指數增長,此時熱離子電流就會成為主要的傳輸機制。

              利用上述特質和二硫化鎢壁壘材料,新晶體管成為目前性能最佳的石墨烯晶體管之一。此外,由于僅具有幾個原子層的厚度,新型晶體管能夠耐受彎曲,未來更有望應用于柔性、透明電子設備的制造,成為后CMOS設備時代的有力備選。(記者 張巍?。?/P>

            總編輯圈點

              人人都說電子領域里,石墨烯是硅的接班人,但想要進入實際應用的石墨烯,還需大幅提高其開關比。某種角度來看,這似乎不是個難事??電子在石墨烯中的移動速度本來就比硅快,即使不優化設計,石墨烯晶體管的速度也是硅的兩倍還多。但在工藝和技術上,卻遠沒那么輕松,不存在能隙的石墨烯晶體管一直以來都只有很小的開關比。亦因此,曼徹斯特大學此次實現的高開關比更顯意義非常,盡管其性能或許離人們的預想值還有段距離,但正以井噴勢頭提升的數字,昭示著一個石墨烯器件時代,為期不遠。

            

        分享到:
        通知 點擊查看 點擊查看
        公告 點擊查看 點擊查看
        會員注冊
        已有賬號,
        會員登陸
        完善信息
        找回密碼
        337p日本欧洲亚洲大胆人人